硅酸铪

在现代半导体元件中，可以使用由原子层沉积、化学气相沉积或MOCVD生长的硅酸铪和硅酸锆薄膜，作为高κ电介质替换二氧化钛[2]。二氧化铪中的硅增大了能隙，同时降低相对电容率。此外，它还提高了非晶膜的结晶化温度，并进一步增强了材料在高温下与硅的热稳定性[3]。有时会向硅酸铪中加入氮以提高热稳定性和设备的电性能。

硅酸铪
系统名 Hafnium(4+) silicate
识别
CAS号	13870-13-8
PubChem	17979268
ChemSpider	16470992
SMILES	[Hf+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-]
性质
化学式	HfO4Si
摩尔质量	270.57 g·mol^−1
精确质量	271.903133781 g mol^−1
外观	四方晶体[1]
密度	7.0 g/cm^3
熔点	2758 °C（3031 K）（[1]）
若非注明，所有数据均出自一般条件（25 ℃，100 kPa）下。

硅酸铪是铪的硅酸盐，化学式HfSiO₄。

参考

1. Haynes, William M. (编). 92nd. Boca Raton, FL: CRC Press. 2011: 4-66. ISBN 1439855110.
2. Mitrovic, I.Z.; Buiu, O.; Hall, S.; Bungey, C.; Wagner, T.; Davey, W.; Lu, Y. . Microelectronics Reliability. April 2007, 47 (4-5): 645–648 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.microrel.2007.01.065. （原始内容存档于2015-09-24）.
3. J.H. Choi; 等. . Materials Science and Engineering: R. 2011, 72 (6): 97–136 [2015-04-11]. doi:10.1016/j.mser.2010.12.001. （原始内容存档于2015-09-24）.